第三代半导体开启新能源汽车新篇章
站点默认2021-07-07T14:42:12+08:00编者按 以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点,可以极大满 [...]
编者按 以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点,可以极大满 [...]
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